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RIG超高姐片式电祖器样品制作过程



        1.RIG超高姐片式电祖器产品结构
 
  本课题试制的样品有图1、图2所示二种形式。图1为国标标准的2125规格,图2为仿日本样品的规格。 电砚映X化.图2保护袖电阻棋图1
 
  2.RIG超高姐片式电祖器需材料准备
 
  (1)RIG超高姐片式电祖器氧化铝基片准备:本课题选用的基片是96%氧化铝陶瓷基片,绝缘电阻在10的13次方Ω以上。图1所示的规格,采用了标准的商品化大张片。图2所示的规格,属于非标准化产品。鉴于成本、技术能力等多方面的考虑,笔者以氧化铝流延生坯刻线划槽后再烧结成多连片的工艺方法,获得每张500个电阻的大片。
 
  (2)RIG超高姐片式电祖器电阻浆料配制:参照厚膜电阻的设计方法,电阻约在1方左右,即应选用100GΩ/口的厚膜浆料。由于目前尚无这类超高阻浆料,必须自行配制,笔者采用以钉酸盐为导电相的高阻浆料,进行必须的改性配制而成。浆料的枯度可根据工艺需要用一般稀释剂进行调节。
 
  3。RIG超高姐片式电祖器电阻膜层和电极的制作
 
  采用传统的厚膜印刷工艺制作电阻膜层和电极层,再经高温烧成即可得到。图一所示,还需增加保护玻璃釉的印刷和烧结。RIG电阻通常无法采用喷砂、激光等常用调阻工艺调整阻值,因此必须严格控制印刷和烧结的工艺参数,确保产品的一致性。
 
  本试验采用300目不锈钢、乳胶厚度控制在10士1μm。印刷的环境温度也必须控制在20士2℃范围内。
 
  电阻膜层的烧成工艺是至关重要的,同其它钌系厚膜电阻一样,阻值受烧成工艺影响,尤其是超高阻,对烧成工艺条件更敏感。
 
  本试验采用普通厚膜的烧成工艺,烧成周期为60min,峰值温度为850℃。生产中考虑到阻值的综合性能可作适当调节。

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